氮化镓
氮化镓(Gallium nitride)
CAS: 25617-97-4
化学式: GaN
| 中文名 | 氮化镓 |
| 英文名 | Gallium nitride |
| 别名 | 氮化镓 一氮化镓 纳米氮化镓 氮化镓(III) 氮化镓GAN,微黄色或灰色粉末 |
| 英文别名 | Gallium nitride galliummononitride azanylidynegallane galliumnitride(gan) |
| CAS | 25617-97-4 |
| EINECS | 247-129-0 |
| 化学式 | GaN |
| 分子量 | 83.73 |
| InChIKey | JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N |
| 密度 | 6.1 |
| 熔点 | 800 °C (lit.) |
| 沸点 | decomposes at >600℃ [KIR78] |
| 水溶性 | Slightly soluble in hot concentrated sulfuric acid and hot conc. sodium hydroxide. Insoluble in water and dilute acids. |
| 溶解度 | 不溶于水，稀酸。微溶于热浓。H2SO4 |
| 折射率 | 2.70 (27℃) |
| 存储条件 | Room Temprature |
| 稳定性 | 在干燥氩气下稳定储存。水和湿度敏感。与强氧化剂不相容。 |
| 敏感性 | Moisture Sensitive |
| 外观 | 粉末 |
| 颜色 | Yellow |
| Merck | 14,4351 |
| MDL号 | MFCD00016108 |
| 安全术语 | S22 - 切勿吸入粉尘。 S24/25 - 避免与皮肤和眼睛接触。 |
| WGK Germany | 3 |
| RTECS | LW9640000 |
| FLUKA BRAND F CODES | 10-21 |
| TSCA | Yes |
氮化镓 - 用途与合成方法
氮化镓是一种具有高热导率和宽带隙的半导体材料，具有很多重要的应用。以下是氮化镓的一些主要用途和常见的合成方法：
1. 光电子器件：氮化镓的宽带隙和高电子迁移率，它被广泛应用于高亮度LED、蓝紫光激光器、白光LED和高效能太阳能电池等光电子器件。
2. 微波功率器件：氮化镓具有高电子迁移率和饱和电子漂移速度，被用于制造高功率、高频率的微波功率放大器和射频开关。
3. 电子器件：氮化镓在高速电子器件中具有优异的性能，可用于制造高速电子学器件，如高电子迁移率晶体管（HEMT）和高电子迁移率双极型晶体管（HBT）。
4. 光纤通信：氮化镓还可以用于制造高速光电探测器，在高速光纤通信领域具有重要应用。
氮化镓的合成方法，常见的有以下几种：
1. 金属有机气相沉积（MOCVD）：这是目前最常用的制备氮化镓薄膜的方法之一，通过将金属有机前驱物与氨气反应，在高温和低压下使它们分解并沉积在基底上。
2. 分子束外延（MBE）：这是一种高真空下的制备方法，通过将镓和氮分子分别束缚在高温表面上，使其反应生成氮化镓薄膜。
3. 气相反应法：将金属镓和氮气加热至高温，在气相中进行反应，生成氮化镓粉末或块状氮化镓晶体。
1. 光电子器件：氮化镓的宽带隙和高电子迁移率，它被广泛应用于高亮度LED、蓝紫光激光器、白光LED和高效能太阳能电池等光电子器件。
2. 微波功率器件：氮化镓具有高电子迁移率和饱和电子漂移速度，被用于制造高功率、高频率的微波功率放大器和射频开关。
3. 电子器件：氮化镓在高速电子器件中具有优异的性能，可用于制造高速电子学器件，如高电子迁移率晶体管（HEMT）和高电子迁移率双极型晶体管（HBT）。
4. 光纤通信：氮化镓还可以用于制造高速光电探测器，在高速光纤通信领域具有重要应用。
氮化镓的合成方法，常见的有以下几种：
1. 金属有机气相沉积（MOCVD）：这是目前最常用的制备氮化镓薄膜的方法之一，通过将金属有机前驱物与氨气反应，在高温和低压下使它们分解并沉积在基底上。
2. 分子束外延（MBE）：这是一种高真空下的制备方法，通过将镓和氮分子分别束缚在高温表面上，使其反应生成氮化镓薄膜。
3. 气相反应法：将金属镓和氮气加热至高温，在气相中进行反应，生成氮化镓粉末或块状氮化镓晶体。
最后更新：2024-04-10 22:29:15
氮化镓 - 性质
它具有以下性质：
1. 物理性质：氮化镓是一种具有铁灰色的固体，在室温下通常呈非晶态或多晶态。
2. 导电性：氮化镓是一种半导体材料，具有良好的电子传导性能。它在室温下的导电性能比硅和锗更好，而且在高温、高电场下的电导率也比较高。这使得氮化镓在电子器件中的应用非常广泛，如LED、激光器和功率放大器等。
3. 光学性质：氮化镓具有较宽的能隙，在400-450纳米范围内可以吸收和发射可见光。它被广泛应用于LED和激光器等光电子器件中。
4. 化学稳定性：氮化镓具有较高的化学稳定性，能够在很多常见的化学环境下保持其性质稳定。在受强酸和强碱的侵蚀下，它会逐渐溶解。
5. 热导性：氮化镓具有良好的热导性能，具有高热传导率和较低的热膨胀系数。这使得它在高温电子器件中应用广泛，如高频功率放大器和热散热器等。
1. 物理性质：氮化镓是一种具有铁灰色的固体，在室温下通常呈非晶态或多晶态。
2. 导电性：氮化镓是一种半导体材料，具有良好的电子传导性能。它在室温下的导电性能比硅和锗更好，而且在高温、高电场下的电导率也比较高。这使得氮化镓在电子器件中的应用非常广泛，如LED、激光器和功率放大器等。
3. 光学性质：氮化镓具有较宽的能隙，在400-450纳米范围内可以吸收和发射可见光。它被广泛应用于LED和激光器等光电子器件中。
4. 化学稳定性：氮化镓具有较高的化学稳定性，能够在很多常见的化学环境下保持其性质稳定。在受强酸和强碱的侵蚀下，它会逐渐溶解。
5. 热导性：氮化镓具有良好的热导性能，具有高热传导率和较低的热膨胀系数。这使得它在高温电子器件中应用广泛，如高频功率放大器和热散热器等。
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