22398-80-7
磷化铟(INDIUM PHOSPHIDE)
CAS: 22398-80-7
化学式: InP
| 中文名 | 磷化铟 |
| 英文名 | INDIUM PHOSPHIDE |
| 别名 | 磷化铟 磷化铟粉 磷化铟(III) 磷化铟晶体INP |
| 英文别名 | InP INDIUM PHOSPHIDE INDIUM(III) PHOSPHIDE Indium phosphide wafer Phosphinidyneindium(III) Phosphinetriylindium(III) metel basisINDIUM PHOSPHIDE |
| CAS | 22398-80-7 |
| EINECS | 244-959-5 |
| 化学式 | InP |
| 分子量 | 145.79 |
| 密度 | 4,787 g/cm3 |
| 熔点 | 1070°C |
| 水溶性 | Insoluble in water. |
| 存储条件 | Room Temprature |
| 外观 | pieces ,颜色 Black |
| 物化性质 | 化学性质 磷化铟具有沥青光泽的深灰色晶体。熔点1070℃。熔点下离解压为2.75 Mpa。极微溶于无机酸。介电常数：10.8。电子迁移率：约4600 cm2/V?s。空穴迁移率：约150 cm2/V?s。具有半导体的特性。 |
| MDL号 | MFCD00016153 |
| 危险品标志 | T - 有毒物品 |
| 安全术语 | S24/25 - 避免与皮肤和眼睛接触。 S45 - 若发生事故或感不适，立即就医(可能的话，出示其标签)。 S53 - 避免接触，使用前须获得特别指示说明。 |
| 危险品运输编号 | 3288 |
| WGK Germany | 3 |
| RTECS | NL1800000 |
| TSCA | Yes |
| 上游原料 | 三氯化磷 二氧化硅 高纯 电子 铟 |
22398-80-7 - 性质
磷化铟是一种无机化合物。它是一种半导体材料，具有很高的结晶质量和较好的光电性能。
磷化铟具有以下性质：
1. 结构：磷化铟具有锗化钠结构，即由磷（P）和铟（In）原子交替排列形成晶格结构。
2. 导电性：磷化铟是一种N型半导体，具有较高的电子迁移率。它具有较宽的能隙（约为1.34电子伏特），在室温下可以实现高电子迁移速度和载流子浓度，被广泛应用于光电器件和电子器件中。
3. 光电性能：磷化铟具有良好的光吸收特性，对可见光和红外光具有高响应度。在光伏电池、激光器和光电探测器等领域中，磷化铟被广泛应用。
4. 热稳定性：磷化铟对高温和压力具有较好的稳定性，能够在高温环境下工作。
磷化铟具有以下性质：
1. 结构：磷化铟具有锗化钠结构，即由磷（P）和铟（In）原子交替排列形成晶格结构。
2. 导电性：磷化铟是一种N型半导体，具有较高的电子迁移率。它具有较宽的能隙（约为1.34电子伏特），在室温下可以实现高电子迁移速度和载流子浓度，被广泛应用于光电器件和电子器件中。
3. 光电性能：磷化铟具有良好的光吸收特性，对可见光和红外光具有高响应度。在光伏电池、激光器和光电探测器等领域中，磷化铟被广泛应用。
4. 热稳定性：磷化铟对高温和压力具有较好的稳定性，能够在高温环境下工作。
最后更新：2024-04-10 22:29:15
22398-80-7 - 用途与合成方法
磷化铟是一种化合物。它具有良好的半导体特性，被广泛应用于电子器件和光学器件领域。
磷化铟在电子器件中的应用主要包括：
1. 光电器件：磷化铟可以用来制造光电二极管和太阳能电池。其具有高的光吸收能力和高的载流子迁移率，适用于光电转换的应用。
2. 高速电子器件：磷化铟晶体的载流子迁移率大，可用于制造高速电子器件，如高速晶体管和高电子迁移率晶体管。
3. 激光器：制备磷化铟激光器可以用于通信系统、激光打印机和激光雷达等应用。
磷化铟的合成方法主要有以下几种：
1. 化学气相沉积（CVD）：将铟和磷的化合物气体分别引入反应器中，加热至适当温度，在衬底上沉积磷化铟薄膜。该方法适用于大面积薄膜的制备。
2. 分子束外延（MBE）：在真空条件下，通过热蒸发的方法，将铟和磷的纯元素分子束照射在衬底上，使其反应生成磷化铟薄膜。该方法适用于高质量单晶材料的生长。
3. 液相外延（LPE）：将适当比例的铟和磷溶解在金属溶剂中，然后通过控制温度梯度，使磷化铟晶体从溶液中生长。该方法适用于大尺寸晶体的制备。
磷化铟在电子器件中的应用主要包括：
1. 光电器件：磷化铟可以用来制造光电二极管和太阳能电池。其具有高的光吸收能力和高的载流子迁移率，适用于光电转换的应用。
2. 高速电子器件：磷化铟晶体的载流子迁移率大，可用于制造高速电子器件，如高速晶体管和高电子迁移率晶体管。
3. 激光器：制备磷化铟激光器可以用于通信系统、激光打印机和激光雷达等应用。
磷化铟的合成方法主要有以下几种：
1. 化学气相沉积（CVD）：将铟和磷的化合物气体分别引入反应器中，加热至适当温度，在衬底上沉积磷化铟薄膜。该方法适用于大面积薄膜的制备。
2. 分子束外延（MBE）：在真空条件下，通过热蒸发的方法，将铟和磷的纯元素分子束照射在衬底上，使其反应生成磷化铟薄膜。该方法适用于高质量单晶材料的生长。
3. 液相外延（LPE）：将适当比例的铟和磷溶解在金属溶剂中，然后通过控制温度梯度，使磷化铟晶体从溶液中生长。该方法适用于大尺寸晶体的制备。
最后更新：2024-04-10 22:29:15
22398-80-7 - 安全信息
磷化铟是一种常见的半导体材料，具有广泛的应用。以下是关于磷化铟的安全信息：
1. 毒性：磷化铟具有一定的毒性。在处理磷化铟时，需要佩戴适当的个人防护装备，如实验室手套和护目镜，以避免直接接触皮肤或眼睛。
2. 火灾和爆炸危险：磷化铟在与氧气接触时可能会引起火灾或爆炸。在操作过程中要避免与氧气或其他易燃物质接触，并确保在通风良好的区域进行操作。
3. 环境风险：磷化铟对环境有一定的影响。在处理废弃的磷化铟材料时，请遵循当地环境法规，并将废弃物正确处置。
4. 存储和运输：磷化铟应储存在干燥、通风良好的地方，并远离直接阳光。在运输磷化铟时，应采取适当的包装和防护措施，避免物质泄漏或损坏。
1. 毒性：磷化铟具有一定的毒性。在处理磷化铟时，需要佩戴适当的个人防护装备，如实验室手套和护目镜，以避免直接接触皮肤或眼睛。
2. 火灾和爆炸危险：磷化铟在与氧气接触时可能会引起火灾或爆炸。在操作过程中要避免与氧气或其他易燃物质接触，并确保在通风良好的区域进行操作。
3. 环境风险：磷化铟对环境有一定的影响。在处理废弃的磷化铟材料时，请遵循当地环境法规，并将废弃物正确处置。
4. 存储和运输：磷化铟应储存在干燥、通风良好的地方，并远离直接阳光。在运输磷化铟时，应采取适当的包装和防护措施，避免物质泄漏或损坏。
最后更新：2024-04-10 22:29:15
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