GERMANIUM TETRANITRIDE
氮化锗(GERMANIUM NITRIDE)
CAS: 12065-36-0
化学式: Ge3N4
| 中文名 | 氮化锗 |
| 英文名 | GERMANIUM NITRIDE |
| 别名 | 氮化锗 氮化锗(III) |
| 英文别名 | GERMANIUM NITRIDE germanium(iii) nitride GERMANIUM TETRANITRIDE trigermanium tetranitride |
| CAS | 12065-36-0 |
| EINECS | 235-064-0 |
| 化学式 | Ge3N4 |
| 分子量 | 273.95 |
| 密度 | 5.35g/mLat 25°C(lit.) |
| 熔点 | >850°C (dec.)(lit.) |
| 水溶性 | insoluble H2O; does not react with most mineral acids, aqua regia or caustic solutions [KIR78] [CRC10] |
| 存储条件 | Room Temprature |
| 外观 | 正交晶体 |
| 比重 | 5.35 |
| 危险品标志 | Xi - 刺激性物品 |
| 风险术语 | 36/37/38 - 刺激眼睛、呼吸系统和皮肤。 |
| 安全术语 | S26 - 不慎与眼睛接触后，请立即用大量清水冲洗并征求医生意见。 S36 - 穿戴适当的防护服。 |
| WGK Germany | 3 |
| TSCA | Yes |
GERMANIUM TETRANITRIDE - 简介
氮化锗是一种由氮和锗元素组成的化合物。它具有许多重要的性质和应用。以下是关于氮化锗的基本信息：
性质：
- 氮化锗是一种固体物质，常见的晶体结构为闪锌矿结构。
- 氮化锗是一种具有宽带隙的半导体材料，能够在室温下展现良好的电特性。
- 它具有优异的热导性能和耐腐蚀性，可用于高温和高频电子器件。
应用：
- 氮化锗常用于制备电子和光电子器件，例如高功率和高频率的微波器件、蓝紫外光发射二极管等。
- 它也可用于制备太阳能电池、激光二极管和传感器等。
- 氮化锗在纳米技术和微电子领域具有重要的应用前景，可以用于制造纳米器件和高性能集成电路。
制法：
- 氮化锗的制备方法包括物理气相沉积（PVD）和分子束外延（MBE）等技术。
- 通过在适当温度下，锗表面暴露在氮气环境中，使氮气与锗反应，从而形成氮化锗薄膜。
- 其他方法还包括化学气相沉积（CVD）、分子束外延（MBE）和液相外延等。
安全信息：
- 氮化锗在常规条件下对人体健康相对无害，但在高温和高压条件下，可能会释放有毒气体。
- 在制备过程中，需采取适当的防护措施，包括佩戴防护眼镜、手套和呼吸器等。
- 氮化锗也需要正确储存和处理，以避免与其他有害物质接触和混合。
综上所述，氮化锗是一种重要的半导体材料，具有优异的电特性和热特性，广泛应用于电子和光电子器件制造领域。
性质：
- 氮化锗是一种固体物质，常见的晶体结构为闪锌矿结构。
- 氮化锗是一种具有宽带隙的半导体材料，能够在室温下展现良好的电特性。
- 它具有优异的热导性能和耐腐蚀性，可用于高温和高频电子器件。
应用：
- 氮化锗常用于制备电子和光电子器件，例如高功率和高频率的微波器件、蓝紫外光发射二极管等。
- 它也可用于制备太阳能电池、激光二极管和传感器等。
- 氮化锗在纳米技术和微电子领域具有重要的应用前景，可以用于制造纳米器件和高性能集成电路。
制法：
- 氮化锗的制备方法包括物理气相沉积（PVD）和分子束外延（MBE）等技术。
- 通过在适当温度下，锗表面暴露在氮气环境中，使氮气与锗反应，从而形成氮化锗薄膜。
- 其他方法还包括化学气相沉积（CVD）、分子束外延（MBE）和液相外延等。
安全信息：
- 氮化锗在常规条件下对人体健康相对无害，但在高温和高压条件下，可能会释放有毒气体。
- 在制备过程中，需采取适当的防护措施，包括佩戴防护眼镜、手套和呼吸器等。
- 氮化锗也需要正确储存和处理，以避免与其他有害物质接触和混合。
综上所述，氮化锗是一种重要的半导体材料，具有优异的电特性和热特性，广泛应用于电子和光电子器件制造领域。
最后更新：2024-04-09 19:05:03
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GERMANIUM TETRANITRIDE Vinmegallate 200197-04-2 343372-52-1 1809036-20-1 (2-oxo-1,3-dioxolan-4-yl)methyl 2-methylprop-2-enoate METHYL 5-BROMOFURAN-2-CARBOXYLATE
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