砷化铟
砷化铟(indium arsenide)
CAS: 1303-11-3
化学式: AsIn
| 中文名 | 砷化铟 |
| 英文名 | indium arsenide |
| 别名 | 砷化铟 砷化铟(INAS |
| 英文别名 | indiamarsenide INDIUM ARSENIDE Indiam arsenide Indium arsenide indium arsenide arsenic(-3) anion arsanylidyneindium indium(+3) cation Indium monoarsenide indiumarsenide(inas) indiganylidynearsane Indium arsenide (InAs) Arsinetriylindium(III) Indium arsenide, Hardly attacked by mineral acids |
| CAS | 1303-11-3 |
| EINECS | 215-115-3 |
| 化学式 | AsIn |
| 分子量 | 189.74 |
| InChI | InChI=1/As.In/q-3;+3 |
| 密度 | 5.69 g/cm3 |
| 熔点 | 936°C |
| 水溶性 | Insoluble in water. |
| 折射率 | 3.51 |
| 外观 | 1.5 9.5毫米多晶片 |
| 颜色 | Gray |
| Merck | 14,4949 |
| 暴露限值 | ACGIH: TWA 0.01 mg/m3; TWA 0.1 mg/m3NIOSH: IDLH 5 mg/m3; TWA 0.1 mg/m3; Ceiling 0.002 mg/m3 |
| 危险品运输编号 | UN1557 |
| TSCA | Yes |
| Hazard Class | 6.1 |
| Packing Group | III |
| 上游原料 | 砷 |
砷化铟 - 简介
砷化铟是一种晶体化合物。以下是关于砷化铟的性质、用途、制法和安全信息的介绍：
性质：
1. 砷化铟为黑色晶体或粉末，具有金属光泽。
2. 它有较高的禁带宽度，是一种半导体材料。
用途：
1. 砷化铟具有优异的电子运输性能和高载流子浓度，可用于制造高速、高频率的电子器件，如高速场效应横向转移电晶体管（HEMT）和高频率功率放大器。
2. 它也可用于制作太阳能电池、光电探测器等光电器件，其宽禁带宽度和高电子迁移率，砷化铟在光电器件中具有较好的性能。
制法：
制备砷化铟的一种常见方法是通过化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，简称CVD）或分子束外延（Molecular Beam Epitaxy，简称MBE）技术。这些方法利用金属铟和金属砷的化合物气源，经过热分解或热反应在衬底上生长砷化铟薄膜。
安全信息：
1. 砷化铟是一种有毒物质，可通过吸入粉尘、皮肤接触或摄入进入人体。
2. 在操作过程中应佩戴合适的个人防护装备，如防护眼镜、手套和防护服。
3. 当处理砷化铟时应避免产生粉尘，可以采取湿法或其他有效的控制措施。
4. 废弃砷化铟及其化合物的废物应严格按照当地法规进行处置，避免对环境和人类健康造成污染风险。
在使用砷化铟或相关化合物时，严格遵循化学安全操作规程并遵守相关法规非常重要。
性质：
1. 砷化铟为黑色晶体或粉末，具有金属光泽。
2. 它有较高的禁带宽度，是一种半导体材料。
用途：
1. 砷化铟具有优异的电子运输性能和高载流子浓度，可用于制造高速、高频率的电子器件，如高速场效应横向转移电晶体管（HEMT）和高频率功率放大器。
2. 它也可用于制作太阳能电池、光电探测器等光电器件，其宽禁带宽度和高电子迁移率，砷化铟在光电器件中具有较好的性能。
制法：
制备砷化铟的一种常见方法是通过化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，简称CVD）或分子束外延（Molecular Beam Epitaxy，简称MBE）技术。这些方法利用金属铟和金属砷的化合物气源，经过热分解或热反应在衬底上生长砷化铟薄膜。
安全信息：
1. 砷化铟是一种有毒物质，可通过吸入粉尘、皮肤接触或摄入进入人体。
2. 在操作过程中应佩戴合适的个人防护装备，如防护眼镜、手套和防护服。
3. 当处理砷化铟时应避免产生粉尘，可以采取湿法或其他有效的控制措施。
4. 废弃砷化铟及其化合物的废物应严格按照当地法规进行处置，避免对环境和人类健康造成污染风险。
在使用砷化铟或相关化合物时，严格遵循化学安全操作规程并遵守相关法规非常重要。
最后更新：2024-04-10 22:29:15
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